[发明专利]发光元件、发光器件和电子器件无效
申请号: | 200710087631.1 | 申请日: | 2007-03-02 |
公开(公告)号: | CN101030626A | 公开(公告)日: | 2007-09-05 |
发明(设计)人: | 池田寿雄;中村康男;青山智哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H05B33/14;C09K11/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 旨在提供具有高发光效率的发光元件,它包括第一电极、第二电极和在第一电极与第二电极之间的发光层,其中发光层包含基底材料、第一杂质成分、第二杂质成分和有机化合物;基底材料是包含属于周期表第2族的元素和属于周期表第16族的元素的无机化合物、或者是包含属于周期表第12族的元素和属于周期表第16族的元素的无机化合物;第一杂质成分是铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、砷(As)、磷(P)或钯(Pd)中的任一种;而第二杂质成分是氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)或铊(Tl)中的任一种。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 器件 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,包括:第一电极;第二电极;以及在所述第一电极与第二电极之间的发光层,其中,所述发光层包括基底材料、第一杂质成分、第二杂质成分和有机化合物,其中,所述基底材料是包含属于周期表第2族的元素和属于周期表第16族的元素的无机化合物、或者是包含属于周期表第12族的元素和属于周期表第16族的元素的无机化合物,其中,所述第一杂质成分是铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、砷(As)、磷(P)或钯(Pd)中的至少一种,以及其中,所述第二杂质成分是氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)或铊(Tl)中的至少一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710087631.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择