[发明专利]基板的制造方法及基板处理装置无效
| 申请号： | 200710085723.6 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101034659A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 薮下宏二;林正美;山部贵人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/321;H01L21/28;H01L21/768;H01L29/43;H01L29/786;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物附着于基板的基板制造方法及基板处理装置。本发明的基板制造方法是在基板上形成含钼层，在上述含钼层露出的状态下，对上述基板进行至少使用氮气的常压等离子体处理的方法。本发明提供了通过这样的构成，不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物对基板附着的基板制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
1、一种基板的制造方法，其中，在基板上形成含钼层，在上述含钼层露出的状态下，对上述基板进行至少使用氮气的常压等离子体处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
