[发明专利]使用磁畴运动的磁存储器装置有效

专利信息
申请号: 200710084975.7 申请日: 2007-02-17
公开(公告)号: CN101026002A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 金起园;金泰完;曹永真;黄仁俊 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 郭定辉;黄小临
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供磁存储器装置。该磁存储器装置包括多个存储器轨道、位线、连接器、第一输入部分和选择部分。多个存储器轨道在基片上被堆叠来形成多堆栈。在存储器轨道中形成多个磁畴,使得可以由磁畴表示数据位并可以以阵列进行存储。位线形成在相应存储器轨道附近。连接器构成磁隧道连接(MTJ)单元以及存储器轨道的一个数据位区域。第一输入部分电连接到每个存储器轨道,并且输入将存储在存储器轨道的数据位区域中的数据移动到相邻数据位区域的磁畴运动信号。选择部分从多个存储器轨道中选择要在其上执行读取或写入操作的存储器轨道。
搜索关键词: 使用 运动 磁存储器 装置
【主权项】:
1.一种磁存储器装置,包括:在基片上堆叠来形成多堆栈的多个存储器轨道,其中,形成多个磁畴以使得每个由磁畴构成的多个数据位以阵列进行存储;形成在相应存储器轨道附近的多条位线;形成在每个存储器轨道和每条位线之间以构成磁隧道连接(MTJ)单元以及每个存储器轨道的一个数据位区域的连接器;电连接到每个存储器轨道、并输入将存储在存储器轨道的数据位区域中的数据移动到相邻数据位区域的磁畴运动信号的第一输入部分;和从多个存储器轨道中选择要在其上执行读取或写入操作的存储器轨道的选择部分。
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