[发明专利]光照射和结晶的装置及方法，半导体器件和光调制元件无效
| 申请号： | 200710084729.1 | 申请日： | 2007-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101042984A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 谷口幸夫;松村正清 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;G02F1/00;B23K26/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光照射装置包括光调制元件，该元件对入射光的相位进行调制，从中发射已调制光；以及图像形成光学系统，排列在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，并且形成所发射的光的图像，利用具有所述预定光强度的光照射所述照射目标平面。所述光调制元件在一个单元区内有包括第一面积比改变结构和第二面积比改变结构的多个面积比改变结构。所述第一面积比改变结构具有其中面积份额比在第一方向变化的至少一个第一相位调制区。并且所述第二面积比改变结构具有其中面积份额比在不同于所述第一方向的第二方向上变化的至少一个第二相位调制区。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 结晶 装置 方法 半导体器件 调制 元件 | ||
【主权项】：
1.一种光照射装置，该装置利用具有一个光强度分布的光照射照射目标平面，其特征在于包括：光调制元件，该元件对入射光的相位进行调制，从中发射已调制光；以及图像形成光学系统，该系统排列在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，并且形成所发射的光的图像，利用具有所述预定光强度的光照射所述照射目标平面，其中所述光调制元件在一个单元区内有包括第一面积比改变结构和第二面积比改变结构的多个面积比改变结构；所述第一面积比改变结构具有其中面积份额比在第一方向变化的至少一个第一相位调制区；并且所述第二面积比改变结构具有其中面积份额比在不同于所述第一方向的第二方向上变化的至少一个第二相位调制区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
