[发明专利]二次电池及其制造方法无效
| 申请号： | 200710079955.0 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101030656A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 曹政权 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01M10/04 | 分类号： | H01M10/04;H01M10/38;H01M10/40;H01M2/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;王诚华 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种二次电池，该二次电池不采用附加绝缘垫片的工艺，而是在将电解液入口密封之后，通过在盖板的外表面上形成紫外固化的绝缘层来将所述盖板绝缘，从而降低生产成本并提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二次电池，包括：电极组件，其包括正电极板、隔板和负电极板；罐，其用于容纳所述电极组件；盖板，其连接至所述罐的上开口部分并包括端子开口和电解液入口；电极端子，其通过所述端子开口而延伸；垫圈，其置于所述电极端子与所述盖板之间，用于使所述电极端子与所述盖板绝缘；塞子，其用于密封所述盖板的所述电解液入口；和绝缘层，其由一种绝缘材料形成并置于所述盖板及塞子的外表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710079955.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
