[发明专利]晶体硅的提炼提纯方法无效
| 申请号: | 200710070694.6 | 申请日: | 2007-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN101186298A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
| 发明(设计)人: | 吴振华;汤荣发 | 申请(专利权)人: | 吴振华 |
| 主分类号: | C01B33/025 | 分类号: | C01B33/025;C01B33/039 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 沈志良 |
| 地址: | 314400浙江省海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种晶体硅的提炼提纯方法,包括:1)加料:在夹套坩锅的小坩埚中加入二氧化硅,大坩埚与小坩埚之间的夹缝中加活性炭和催化剂;2)高温催化反应:把夹套坩埚放在高温炉内进行高温催化,得到初级晶体硅;3)液化反应:把初级晶体硅放在密闭的玻璃容器内,然后通入氯气,使之液化,变为液态氯化硅;4)过滤提纯:把液态氯化硅冷却,而后过滤;5)还原置换:滤液再放入密闭的玻璃容器内,通入氢气还原,即得到高纯度晶体硅;6)冷却烘干:把上述晶体硅冷却烘干,得到成品晶体硅。本发明提练的晶体硅纯度高,可用于制作各种太阳能光伏电池。本发明提练的晶体硅所生产出的单晶硅可用作生产各种IC芯片。 | ||
| 搜索关键词: | 晶体 提炼 提纯 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶体硅的提炼提纯方法,其特征在于该方法的工艺步骤包括:1)加料:在夹套坩锅的小坩埚中加入二氧化硅,大坩埚与小坩埚之间的夹缝中加入二氧化硅用料量20-30%的活性碳、10-18%的催化剂镍或碳酸镍;2)高温催化反应:把夹套坩埚放在高温炉内,进行高温催化,温度控制在1600-1700℃之间,催化反应到二氧化硅变为灰黑色为止,得到初级晶体硅,反应时间控制在6小时左右;3)液化反应:把反应后的初级晶体硅放在密闭的玻璃容器内,先加热到约75-90℃,再抽真空减压到约负1个大气压,然后通入氯气,使初级晶体硅液化,变为液态的氯化硅;4)过滤提纯:把液态的氯化硅冷却,而后过滤,滤去杂质;5)还原置换:得到的滤液再放入密闭的玻璃容器内,在常温常压下,通入氢气,还原,把氯离子置换出来,最后得到纯度为99.99999的晶体硅;6)冷却烘干:把上述晶体硅冷却烘干,最后得到成品晶体硅。
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