[发明专利]一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路有效
| 申请号： | 200710064872.4 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276555A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 黄苒;杜寰;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路，该电路包括预存储电路和像素电容充放电电路；所述预存储电路包括第一晶体管和预存储电容，第一晶体管的漏极接收数据信号，栅极外接写信号，源极与预存储电容一端及第二晶体管的栅极连接，预存储电容另一端接地；像素电容充放电电路包括第二晶体管、第三晶体管和像素电容；第二晶体管的源极与第三晶体管的漏极连接，第二晶体管的漏极接收充放电控制信号；第三晶体管的源极与像素电容连接，栅极接收读信号。利用本发明，取消了以往像素电路由专门晶体管对像素电容放电的做法，减少了使用晶体管的个数，简化了电路结构，降低了走线的复杂程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 液晶显示 器件 存储 像素 电路 | ||
【主权项】：
1. 一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路，其特征在于，该电路包括预存储电路和像素电容充放电电路；所述预存储电路包括第一晶体管(M1)和预存储电容(C1)，所述第一晶体管(M1)的漏极接收数据信号，栅极外接写信号，控制对预存储电容(C1)的写操作，源极与预存储电容(C1)一端连接，同时源极还与第二晶体管(M2)的栅极连接，预存储电容(C1)另一端接地；所述像素电容充放电电路包括第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)和像素电容(C2)；所述第二晶体管(M2)的源极与第三晶体管(M3)的漏极连接，第二晶体管(M2)的漏极接收充放电控制信号，控制对像素电容(C2)的充放电；所述第三晶体管(M3)的源极与像素电容(C2)连接，栅极接收读信号，控制对像素电容(C2)的写操作。
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