[发明专利]制作表面等离子体微纳结构的方法无效
| 申请号： | 200710064691.1 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101024485A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 董小春;杜春雷;罗先刚;李淑红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用湿法腐蚀工艺制作表面等离子体微纳结构的方法。选择腐蚀材料作为基底；在基底表面镀掩蔽膜层；在掩蔽膜层材料表面涂上光刻胶，采用光刻工艺使光刻胶和掩蔽膜层图形化；将带有图形化掩蔽膜层和光刻胶层的基底放在腐蚀液中进行腐蚀；基底材料与掩蔽膜层无连接时，停止腐蚀，去掉基底表面的掩蔽膜层和光刻胶层，获得带有纳米级线条的基底模板；利用基底模板制得表面等离子体微纳结构。该方法可用于制作纳米级的微纳线条结构，面积可以拓展到几百毫米，制作的微纳结构可以由多种线条组成。微纳金属结构可以为规则阵列排布，也可以为不规则排布。可广泛应用于大面积、小线宽、任意结构的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 表面 等离子体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、制作表面等离子体微纳结构的方法，包括以下步骤：选择腐蚀材料作为基底；在所述基底材料表面镀上掩蔽膜层；在所述掩蔽膜层材料表面涂上光刻胶，并根据目标结构中的线条分布情况，采用光刻工艺使所述光刻胶和掩蔽膜层图形化；将带有图形化的掩蔽膜层以及光刻胶层的基底放置在湿法腐蚀液中进行腐蚀；基底材料与掩蔽膜层无连接时，停止腐蚀，去掉基底材料表面的掩蔽膜层和光刻胶层，获得带有纳米级线条的基底模板；利用所述基底模板制得表面等离子体微纳结构。
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