[发明专利]实现表面等离子体结构成形的方法

摘要

本发明公开了一种实现表面等离子体结构成形的方法。步骤为：首先利用湿法腐蚀各向同性和侧向钻蚀的特点，减小掩蔽层下方微米级结构的特征线宽，同时形成一定的阴影区；然后在湿法腐蚀后的结构表面热蒸镀金属膜层，并去除掩蔽层得到线宽和周期都减小的微纳结构；在此基础上，采用模压复制以及干法刻蚀工艺将该微结构转移至另一膜层表面；重复进行上述步骤可制作出纳米级的结构。该方法可成形亚微米甚至纳米级结构；该成形方法不需要电子束、离子束以及AFM等昂贵的设备。采用传统的微米级加工设备，通过多次湿法腐蚀、重复压印即可制作各种随机的大面积微纳结构。为实用化纳米结构的制作提供了途径。

主权项

1、实现表面等离子体结构成形的方法，包括以下步骤：1)在基底表面热蒸镀沉积掩蔽膜层，在所述掩蔽膜层表面涂布光刻胶；2)通过曝光方法图形化所述光刻胶；3)对暴露出的掩蔽膜层进行湿法腐蚀，湿法腐蚀过程中的侧向钻蚀效应导致腐蚀后的掩蔽膜层线条宽度小于光刻胶图形线条宽度；4)对湿法腐蚀后的结构热蒸镀掩蔽膜层，去除光刻胶，基底表面线条数目增加一倍；5)在另一块基底表面蒸镀掩蔽膜层，采用模压复制工艺，将所述第一块基底表面上的微结构转移到第二块基底的掩蔽膜层表面；6)采用干法刻蚀工艺将第二块基底的掩蔽膜层表面微结构下凹处的剩余复制材料去掉；7)以复制材料结构为掩蔽层进行湿法腐蚀、侧向钻蚀；并再次蒸镀掩蔽膜层，去除掩蔽层。