[发明专利]具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 200710063352.1 申请日: 2007-01-09
公开(公告)号: CN101221849A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 韩宇男;温振超;杜关祥;赵静;刘东屏;韩秀峰 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01F10/08 分类号: H01F10/08;H01F41/14;G11B5/673
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 高存秀
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种具有几何形状的磁性多层膜,包括沉积在衬底上的磁性多层膜单元的各层;所述的磁性多层膜单元的横截面呈多边形闭合环状,该磁性多层膜单元中的具有铁磁性的薄膜层的磁矩或磁通量形成顺时针或逆时针的闭合状态。还包括在上述多边形闭合环状的磁性多层膜的几何中心位置设置金属芯,该金属芯的横截面为相应的多边形。还涉及用闭合的含(或不含)金属芯的磁性多层膜制作的磁性存储器。本发明利用微加工方法制备所述的闭合形状的磁性多层膜。本发明的闭合含(或不含)金属芯多边形闭合环状的磁性多层膜能够广泛应用于以磁性多层膜为核心的各种器件,例如,磁性随机存取存储器,计算机磁读头,磁敏传感器,磁逻辑器件和自旋晶体管等。
搜索关键词: 具有 几何 形状 磁性 多层 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
1.一种具有几何形状的磁性多层膜,包括沉积在衬底上的磁性多层膜单元的各层;其特征在于,所述的磁性多层膜单元的横截面呈闭合环状,该磁性多层膜单元中的具有铁磁性的薄膜层的磁矩或磁通量形成顺时针或逆时针的闭合状态。
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