[发明专利]射频磁控溅射法制备超硬TiB2/TiAlN纳米多层膜无效

专利信息
申请号: 200710060541.3 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101214744A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 李德军;刘思鹏;邓湘云 申请(专利权)人: 天津师范大学
主分类号: B32B7/02 分类号: B32B7/02;B32B33/00;B32B9/00;B32B15/04;C23C14/34;C23C14/54;C23C14/02
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 王丽
地址: 300387天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及射频磁控溅射法制备超硬TiB2/TiAlN纳米多层膜,利用射频磁控溅射技术,采用射频电源激发等离子体来溅射TiB2和TiAl陶瓷靶,在单面抛光的Si(100)基底上沉积TiB2和TiAlN的多层膜,采用机械泵和分子泵,将真空室内的气压抽至3.0×10-4Pa-1.0×10-4Pa,沉积TiB2时溅射气体选用纯Ar,用质量流量控制器控制其流量保持在4-60sccm,沉积TiAlN时溅射气体为Ar和N2,并改变氮气和氩气的比例从1∶1到1∶50,在整个沉积过程中总的工作气压为:沉积TiB2时气压在0.1-0.8Pa,沉积TiAlN时气压在0.2-1.0Pa,多层膜的周期为30-200层。新型超硬TiB2/TiAlN纳米多膜”具有高硬度、较低内应力,高膜基结合力的优良综合特性。新型超硬TiB2/TiAlN纳米多层膜在刀刃具、模具表面强化薄膜中用重要的应用前景。
搜索关键词: 射频 磁控溅射 法制 备超硬 tib sub tialn 纳米 多层
【主权项】:
1.一种TiB2/TiAlN纳米多层膜,其特征是在40-60纳米厚的纯Ti层上交替存在着TiB2和TiAlN层,每周期层厚为5-30纳米,多层膜的周期为30-200层,总层厚为800~1000纳米。
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