[发明专利]一种一维金属氧化物纳米针材料的制备方法无效
申请号: | 200710051712.6 | 申请日: | 2007-03-22 |
公开(公告)号: | CN101041469A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 潘春旭;刘曰利 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | C01G49/06 | 分类号: | C01G49/06;C01G9/02;C01G3/02;B32B3/00 |
代理公司: | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人: | 刘荣 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种一维金属氧化物纳米针材料的制备方法,该方法首先以铜、铜合金、Ni、Ni基合金、不锈钢或铁板为基板,将基板置于电沉积液中,采用常规脉冲电沉积方法在基板表面电沉积一层金属Cu纳米晶薄膜或金属Zn纳米晶薄膜或金属Fe纳米晶薄膜;然后在空气中将金属Cu纳米晶薄膜于700~1000℃下或金属Zn纳米晶薄膜于300~600℃下或金属Fe纳米晶薄膜于700~900℃下热氧化1~2小时,获得对应的一维金属氧化物纳米针材料。这种方法具有成本低、工艺简单、可控程度高、符合环境要求,所得到的一维金属氧化物纳米针材料质量高、密度大等优点,非常有利于一维金属氧化物纳米针材料的进一步推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 氧化物 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种一维金属氧化物纳米针材料的制备方法,其特征在于采用具体步骤如下:首先以铜、铜合金、Ni、Ni基合金、不锈钢或铁板为基板,将基板置于电沉积液中,采用常规脉冲电沉积方法在基板表面电沉积一层金属Cu纳米晶薄膜或金属Zn纳米晶薄膜或金属Fe纳米晶薄膜;然后在空气中将金属Cu纳米晶薄膜于700~1000℃下或金属Zn纳米晶薄膜于300~600℃下或金属Fe纳米晶薄膜于700~900℃下热氧化1~2小时,获得对应的一维金属氧化物纳米针材料,即一维CuO纳米针材料、一维ZnO纳米针材料或一维γ-Fe2O3纳米针材料。
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