[发明专利]无铅高居里点PTC热敏电阻材料

摘要

本发明涉及一种半导体材料，尤其是符合无铅高居里点压电陶瓷材料实现半导体化，制备无铅高居里点PTC热敏电阻材料。该材料主成分组成为：(Na_1/2Bi_1/2)_x(Ba_1－x－y+z)TiO₃+yM₁+zM₂O+0.02MnO₂mol％。其中x＝0.01～0.15；y＝0.001～0.006；z＝0.005～0.05；M₁＝0.0001～0.006；M₂＝0.005～0.05；配方中含有微量半导化元素和添加剂成分，本发明的高居里点温度PTC热敏电阻材料中不含铅，避免了热敏电阻制造和使用中铅对环境的污染、人体的伤害。并且解决了不含铅高居里点温度PTC热敏电阻材料实现半导化的技术难题。

主权项

1、一种无铅高居里点PTC热敏电阻材料，其特征是该材料的主成分组成为：(Na1/2Bi1/2)x(Ba1-x-y+z)TiO3+yM1+zM2O+0.02MnO2mol％其中x＝0.01～0.15；y＝0.001～0.006；z＝0.005～0.05；配方主成分中M1为三价或五价稀土微量半导化元素，M1含有Y、La、Sb、Nb、Ta元素中至少一种元素，M1含量占材料总量0.0095～0.598mol％；M2为Ba位置换元素，Ba位置换元素M2含有Ba、Sr、Ca三种元素中至少一种元素，M2含量占材料总量0.47～4.98·mol％；Mn元素含量占材料总量0.019～0.0199mol％；配方主成分中含有Na、Bi、Ba、Ti金属元素，所述金属元素的总量占材料总量0.93～0.99mol％；主成分初始原材料选自Na2CO3、Bi2O3、BaCO3、TiO2、MnO2，半导化元素选自Y2O3、La2O3、Sb2O3、Nb2O5、Ta2O5，Ba位置换元素选自BaCO3、SrCO3、CaCO3。