[发明专利]一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法无效
| 申请号： | 200710047358.X | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101419931A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吴国燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层后还进行高温退火致使热应力加剧，从而使制成的沟槽隔离结构产生边角损伤。本发明的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法先在该硅衬底上制作隔离氧化层、保护阻挡层；接着光刻并刻蚀出隔离沟槽；然后在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层；之后通过化学气相沉积工艺填充该隔离沟槽；最后进行化学机械抛光工艺以形成沟槽隔离结构。采用本发明的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法可大大减少沟槽隔离结构的边角损伤，大大提高沟槽隔离结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 边角 损伤 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法，该沟槽隔离结构制作在硅衬底上，该制作方法包括以下步骤：(1)在该硅衬底上制作隔离氧化层；(2)在隔离氧化层上制作保护阻挡层；(3)光刻并刻蚀出隔离沟槽；(4)在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层，其特征在于，该制作方法还包括以下步骤：(5)通过化学气相沉积工艺填充该隔离沟槽；(6)进行化学机械抛光工艺以形成沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
