[发明专利]磷硅玻璃底切缺陷的改善方法无效
| 申请号： | 200710046839.9 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101407370A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张文广 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C03B8/04 | 分类号： | C03B8/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷硅玻璃底切缺陷的改善方法。所述磷硅玻璃采用高密度等离子化学气相沉积方法在制程腔体内形成，所述制程腔体连接有供磷烷气体输入的气体管道，该气体管道上设置有开闭阀门以及位于开闭阀门和制程腔体之间的流量控制器，该改善方法是在打开开闭阀门之前将位于开闭阀门和流量控制器的残留磷烷气体抽走。采用本发明的改善方法，可以在后续沉积磷硅玻璃的制程中获得含磷量均匀的磷硅玻璃，避免了在后续湿法蚀刻步骤中出现底切缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 缺陷 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磷硅玻璃底切缺陷的改善方法，所述磷硅玻璃采用高密度等离子化学气相沉积方法在制程腔体内形成，所述制程腔体连接有供磷烷气体输入的气体管道，该气体管道上设置有开闭阀门以及位于开闭阀门和制程腔体之间的流量控制器，其特征在于，该改善方法是在打开开闭阀门之前将位于开闭阀门和流量控制器之间的残留磷烷气体抽走。
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