[发明专利]晶圆表面平坦化的方法有效
| 申请号： | 200710044386.6 | 申请日： | 2007-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101359595A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 仇圣棻;孙鹏;施平;高金凤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆表面平坦化的方法，包括，提供表面具有介质层的晶圆，包括中心区域以及环绕中心区域的边缘区域；去除边缘区域部分厚度的介质层；对于整个晶圆表面的介质层进行化学机械研磨，其中所述边缘区域为试片研磨后介质层厚度大于蚀刻通孔深度的介质层区域，边缘区域介质层去除厚度大于或等于通过试片测得的化学机械研磨后晶圆中心区域的介质层和晶圆边缘区域的介质层的平均厚度差距。本发明晶圆表面平坦化的方法使得晶圆表面的介质层在经过化学机械研磨之后，晶圆边缘区域的介质层厚度与晶圆中心区域的介质层厚度差距缩小，从而提高了晶圆表面平坦化的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆表面平坦化的方法，其特征在于，包括下列步骤，提供表面具有介质层的晶圆，包括中心区域以及环绕中心区域的边缘区域；去除边缘区域部分厚度的介质层；对于整个晶圆表面的介质层进行化学机械研磨，其中所述边缘区域为试片研磨后介质层厚度大于蚀刻通孔深度的介质层区域，所述边缘区域介质层去除厚度大于或等于通过试片测得的化学机械研磨后晶圆中心区域的介质层和晶圆边缘区域的介质层的平均厚度差距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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