[发明专利]光刻胶的去除方法和制造镶嵌结构的方法无效
| 申请号： | 200710042132.0 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101329519A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 邹晓东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G03F7/26;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻胶的去除方法，包括：提供具有光刻胶层的半导体结构；将所述半导体结构置于氧气等离子环境中，通过氧气等离子体灰化去除所述光刻胶层，其中，产生所述氧气等离子体的激励源功率小于等于400W。本发明还提供一种应用所述的光刻胶的去除方法制造镶嵌结构的方法。本发明在去除光刻胶的工艺中对该光刻胶层下层的介质层造成的损伤较小。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 制造 镶嵌 结构 | ||
【主权项】：
1、一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：提供具有光刻胶层的半导体结构；将所述半导体结构置于氧气等离子环境中，通过氧气等离子体灰化去除所述光刻胶层，其中，产生所述氧气等离子体的激励源功率小于等于400W。
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