[发明专利]光刻胶的去除方法和制造镶嵌结构的方法

权利要求书

1、一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：

提供具有光刻胶层的半导体结构；

将所述半导体结构置于氧气等离子环境中，通过氧气等离子体灰化去除所述光刻胶层，其中，产生所述氧气等离子体的激励源功率小于等于400W。

2、如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的激励源功率为300W。

3、如权利要求1或2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述激励源为射频源或微波源。

4、如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的气体为O₂或O₃或NO或N₂O。

5、如权利要求4所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的气体中还包括N₂或O₂或CF₄或NF₃。

6、如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的气体为O₂，所述O₂的流量为400至1000sccm。

7、如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述氧气等离子环境的压力为10至20Torr。

8、一种应用权利要求1所述的方法制造镶嵌结构的方法，其特征在于，包括：

提供具有介质层的半导体衬底；

在所述介质层上形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层，形成开口图案；

刻蚀所述开口图案底部的介质层，在所述介质层中形成开口；

将形成有所述开口的半导体衬底置于氧气等离子环境中，通过氧气等离子体灰化去除所述光刻胶层，其中，产生所述氧气等离子体的激励源功率小于等于400W。

9、如权利要求8所述的制造镶嵌结构的方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的激励源功率为300W。

10、如权利要求8或9所述的制造镶嵌结构的方法，其特征在于：所述激励源为射频源或微波源。

11、如权利要求8所述的制造镶嵌结构的方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的气体为O₂或O₃或NO或N₂O。

12、如权利要求8所述的制造镶嵌结构的方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的气体为O₂，所述O₂的流量为400至1000sccm。

13、如权利要求8所述的制造镶嵌结构的方法，其特征在于：所述氧气等离子环境的压力为10至20Torr。

14、如权利要求8所述的制造镶嵌结构的方法，其特征在于：通过氧气等离子体灰化去除光刻胶层的工艺和刻蚀所述开口图案底部的介质层的工艺可以原位进行或在不同的工艺腔中分别进行。

15、如权利要求8所述的制造镶嵌结构的方法，其特征在于：该方法进一步包括：去除所述光刻胶层后在所述开口中填充金属材料。