[发明专利]聚酰亚胺类微孔分离膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710039945.4 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101053786A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 周瑞敏;吴新锋;郝旭峰;周菲;王智涛;贵舜延;邓邦俊 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | B01D71/46 | 分类号： | B01D71/46;B01D67/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用电子束辐照剂量聚酰亚胺类微孔分离膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜加工处理技为领域。本发明方法以各种单体聚合而成的聚酰亚胺类薄膜为主要膜材料，在其上覆盖好具有微孔图案的金属模板，采用常规电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐照剂量为600～1200KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合蚀刻溶液中，其中H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60℃～90℃温度下进行蚀刻，控制蚀刻反应时间为5～10小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规整、孔径尺寸一致的高分子聚酰亚胺类微孔分离膜。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 微孔 分离 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚酰亚胺类微孔分离膜的制备方法，其特征在于具以以下的过程和步骤：a.首先用去离子水H2SO4和K2Cr2O7的蚀刻混合溶液，其中H2SO4溶液的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7溶液的浓度为0.1～0.3mol/L；b.将具有微孔图案的金属模板覆盖在高分子聚酰亚胺类薄膜上，然后采用常规的电子加速器，在该电子加速器所产生的电子束辐照下进行辐照，其辐照剂量为600～1200KGy；c.将辐照后的聚酰亚胺类薄膜经酸洗、碱洗前处理，然后将其浸入上述配制好的蚀刻混合溶液中；在60～90℃温度下进行蚀刻，控制蚀刻反应的时间为5～10小时；d.将蚀刻好的聚酰亚胺类薄膜用去离子水清洗，然后放入干燥箱干燥；干燥后即可得到图案排列规整、孔径尺寸一致的高分子聚酰亚胺类微孔分离膜；其平均孔径为20μm。
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