[发明专利]一种提高大功率GaN基LED芯片外量子效率的方法无效
| 申请号： | 200710039513.3 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101290956A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 吴中林;徐华斌;陈林 | 申请（专利权）人： | 上海第二工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 201209上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高大功率GaN基LED芯片外量子效率的方法，其特点是采用半球形蓝宝石或GaN衬底，在衬底上生长半球形GaN薄膜、以及在GaN薄膜中间的有源发光层，有源发光层所发出的光线经GaN薄膜表面出射时，让入射角小于全反射的临界角。由于衬底是半球形，在其上可以采用MOCVD技术生长出半球形的GaN及其半球形的有源发光层，当球的半径足够小时，从有源层发出的光经半球形GaN表面出射时，由于入射角小于全反射的临界角，所以不会发生全反射，大部分光可以从该球面上透射出去，从而使芯片的外量子效率获得提高，同时可以降低芯片的工作温度，提高芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 大功率 gan led 芯片 量子 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高大功率GaN基LED芯片外量子效率的方法，LED芯片采用蓝宝石或GaN衬底(1)、在衬底上生长的GaN薄膜(2)、以及在GaN薄膜中间的有源发光层(3)，其特征在于：蓝宝石或GaN衬底(1)为半球形，在衬底上生长的GaN薄膜(2)以及在GaN薄膜中间的有源发光层(3)均为半球形。
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