[发明专利]批量硅片曝光的方法有效
| 申请号： | 200710036720.3 | 申请日： | 2007-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101025574A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡燕民 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种批量硅片曝光的方法，用于大视场投影物镜光刻系统，该光刻系统采用的掩模版上的掩模图形包括大图形和小图形，可以对硅片进行大视场图形曝光和小视场图形曝光，其中，该方法包括如下步骤：a.传送硅片到工件台上；b.对硅片进行调焦调平以及硅片对准；c.对硅片编号；d.编号为奇数的硅片和编号为偶数的硅片分别规划不同的曝光路径，并对应执行不同的曝光流程。与现有技术相比，本发明方法针对奇数偶数编号硅片采用不同的曝光路径规划，除第1片硅片之外，每片硅片只进行1次掩模对准操作，从而有效提高光刻机的产率。 | ||
| 搜索关键词： | 批量 硅片 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种批量硅片曝光的方法，用于大视场投影物镜光刻系统，该光刻系统采用的掩模版上的掩模图形包括大图形和小图形，可以对硅片进行大视场图形曝光和小视场图形曝光，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.传送硅片到工件台上；b.对硅片进行调焦调平以及硅片对准；c.对硅片编号；d.编号为奇数的硅片和编号为偶数的硅片分别规划不同的曝光路径，并对应执行不同的曝光流程。
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