[发明专利]陶瓷先驱体聚碳硅烷的超临界流体合成方法有效
| 申请号： | 200710034407.6 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101240070A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 宋永才;杨大祥 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60;C04B35/571 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 魏国先 |
| 地址： | 410073湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以含有硅－硅键、硅－碳键、硅－卤键的有机硅化合物及其混合物为原料，以可溶聚碳硅烷的溶剂为超临界流体介质，在高压鉴中介质超临界流体状态下合成陶瓷先驱体聚碳硅烷的方法。通过控制合成反应条件，可以得到所需的不同分子量、不同软化点的陶瓷先驱体聚碳硅烷。本发明方法有效地改善了传热均匀性与反应均匀性，合成时间短、合成效率高、合成收率高，产物聚碳硅烷具有较高的分子量、较高的硅氢键含量和均匀的分子量分布。可广泛应用于制备SiC纤维、SiC复合材料、高强度耐高温合金、陶瓷粘结剂、SiC薄膜、纳米线、纳米管和纳米粉等等。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 先驱 体聚碳 硅烷 临界 流体 合成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种陶瓷先驱体聚碳硅烷的超临界流体合成方法，其特征在于以含有硅-硅键、以含有硅-硅键、硅-碳键、硅-卤键的有机硅化合物及其混合物为原料，以可溶解聚碳硅烷的溶剂为超临界流体介质，在高压鉴中介质超临界流体状态下合成聚碳硅烷。
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