[发明专利]一种高压片式多层陶瓷电容器的制造方法

摘要

本发明提供了一种制造高压片式多层陶瓷电容器的方法，主要由瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是镍Ni，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，所述的烧结工序由排胶段、升温高温段、保温段、降温段、回火段组成，所述的烧端工序由低温排胶段、高温排胶段、高温保温段及降温段组成，本发明大大降低了生产成本，同时可实现镍Ni制贱金属电极的高电压多层化陶瓷电容器的制备。

主权项

1.一种制造高压片式多层陶瓷电容器的方法，主要由瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是镍Ni，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，其特征在于：上述烧结工序由排胶段、升温高温段、保温段、降温段、回火段组成，排胶段是在含H2的N2气氛保护下进行的，H2的体积含量是总气体量的0.2～1.5％，温度由室温到T1(700≤T1≤850℃)时的升温速率1～2℃/min，排胶时间6～8小时；升温高温段在含H2的N2气氛保护下进行的，H2的体积含量是总气体量的0.8～2.5％，温度由T1到达T2(850℃＜T2≤1330℃)时的升温速率3～7℃/min，T2温度时的保温时间2～4小时；上述烧端工序由低温排胶段、高温排胶段、高温保温段及降温段组成，其中低温排胶段在含O2的N2气氛保护下进行的，O2含量控制在20～300ppm，温度由室温升到T3温度(700≤T3≤800℃)，高温排胶段在含O2的N2气氛保护下进行的，O2含量≤10ppm，温度由T3升到T4温度(800＜T4≤960℃)。