[发明专利]一种高压片式多层陶瓷电容器的制造方法有效
申请号: | 200710030282.X | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101127275A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 赖永雄;陈红梅;张尹;肖培义;安可荣;唐浩;黎清乐;陈长云;黄旭业;彭自冲;黄必相;孙小云 | 申请(专利权)人: | 广东风华高新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/005;H01G13/00 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 罗晓林 |
地址: | 526020广东省肇庆市风华路1*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压片 多层 陶瓷 电容器 制造 方法 | ||
1.一种制造高压片式多层陶瓷电容器的方法,主要由瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成,所述的交替叠印内电极和介质层工序中,内电极材料是镍Ni,所述的封端工序中,端电极材料是铜Cu,其特征在于:
上述烧结工序由排胶段、升温高温段、保温段、降温段、回火段组成,排胶段是在含H2的N2气氛保护下进行的,H2的体积含量是总气体量的0.2~1.5%,温度由室温到T1(700≤T1≤850℃)时的升温速率1~2℃/min,排胶时间6~8小时;升温高温段在含H2的N2气氛保护下进行的,H2的体积含量是总气体量的0.8~2.5%,温度由T1到达T2(850℃<T2≤1330℃)时的升温速率3~7℃/min,T2温度时的保温时间2~4小时;
上述烧端工序由低温排胶段、高温排胶段、高温保温段及降温段组成,其中低温排胶段在含O2的N2气氛保护下进行的,O2含量控制在20~300ppm,温度由室温升到T3温度(700≤T3≤800℃),高温排胶段在含O2的N2气氛保护下进行的,O2含量≤10ppm,温度由T3升到T4温度(800<T4≤960℃)。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述的烧结工序的回火段在含O2的N2气氛保护下进行的,O2含量是8ppm~30ppm。
3.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述的瓷浆制备中,粘合剂∶瓷粉的重量比是45~50%∶1,增塑剂∶瓷粉的重量比是2~4%∶1,分散剂∶瓷粉的重量比是0.1~0.3%∶1,消泡剂∶瓷粉的重量比是0.1~0.2%∶1,其余是溶剂。
4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述的溶剂是甲苯与无水乙醇的混合物,甲苯∶无水乙醇的重量比是0.5~4∶1。
5.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述的瓷粉是球形或近似球形,粒径是0.60~0.90um。
6.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述的交替叠印内电极和介质层工序中,内电极各边角是过度圆角。
7.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述的交替叠印内电极和介质层工序中内电极是以屏蔽悬浮结构叠印排列。
8.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述的交替叠印内电极和介质层工序中内电极是以半屏蔽悬浮结构叠印排列。
9.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述的交替叠印内电极和介质层工序中内电极是悬浮非屏蔽结构叠印排列。
10.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述的交替叠印内电极和介质层工序中内电极是不错位结构叠印排列。
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