[发明专利]单株多圈大立菊的培植方法无效
申请号: | 200710029007.6 | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101331831A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 麦池英;麦标池;张伟钊;左容昌 | 申请(专利权)人: | 中山市小榄镇人民政府 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01G7/00;A01G9/10;A01G5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528415广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种可以跨年度生长、无需嫁接的大立菊培植方法,直接选用火舞或粉牡丹或飞雪迎春为母株,直接用母株顶部的嫩枝扦插到泥土上培育为植株;经半个月的培育后直接将其定植于盆内中央,离中心约10cm处用瓦片围成一圈,圈内填上泥土,圈外至盆边预留空位,然后根据不同的生长季节和植株长势,分期逐步往外扩穴培土;在第一年的8月底开始,每晚九点到第二天凌晨三点在距植株顶部约1米处用白炽灯进行灯光照射,照射标准为100瓦/5平方米,持续到第二年4月中旬;大约在第二年的9月下旬,当菊枝挂满花蕾时,清疏花蕾;最后将各花蕾扎制成型。 | ||
搜索关键词: | 单株多圈大立菊 培植 方法 | ||
【主权项】:
1、一种单株多圈大立菊的培植方法,其特征在于:A、在第一年的8月选用火舞或粉牡丹或飞雪迎春为母株,直接用母株顶部的嫩枝扦插到泥土上培育为植株;B、经半个月的培育,植株长出根后直接将其定植于盆内中央,离中心约10cm处用瓦片围成一圈,圈内填上泥土,圈外至盆边预留空位,然后根据不同的生长季节和植株长势,分期逐步往外扩穴培土,每次向外扩宽约6公分;C、在第一年的8月底开始,每晚九点到第二天凌晨三点在距植株顶部约1米处用白炽灯进行灯光照射,照射标准为100瓦/5平方米,持续到第二年4月中旬;D、大约在第二年的9月下旬,当菊枝挂满花蕾时,清疏花蕾,促进保留花蕾的营养供应,使花朵达到最大,且大小均匀一致;E、将各花蕾扎制成型。
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