[发明专利]单株多圈大立菊的培植方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种菊花的培植方法，特别是一种单株多圈大立菊的培植方法。

背景技术

现有单株多圈大立菊的培植方法，是将一个菊花品种嫁接到青蒿或黄蒿或白蒿上，而菊花是一种落叶宿根草本植物，有明显的一年一次的休眠期，也就是说，一株菊花最长的生长期一般只有一年，其树形较小，所以，现有的大立菊上所能嫁接的菊花数量有限。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有单株多圈大立菊的培植方法中存在的花朵数量少的问题，而提供一种可以跨年度生长、无需嫁接的大立菊培植方法。

本发明的目的是这样实现的：一种单株多圈大立菊的培植方法，其特征在于：

A、在第一年的8月选用火舞或粉牡丹或飞雪迎春为母株，直接用母株顶部的嫩枝扦插到泥土上培育为植株；

B、经半个月的培育，植株长出根后直接将其定植于盆内中央且确保直立，离中心约10cm处用瓦片围成一圈，圈内填上泥土，圈外至盆边预留空位，然后根据不同的生长季节和植株长势，分期逐步往外扩穴培土，每次向外扩宽约6公分；

C、在第一年的8月底开始，每晚九点到第二天凌晨三点在距植株顶部约1米处用白炽灯进行灯光照射，照射标准为100瓦/5平方米，持续到第二年4月中旬；

D、大约在第二年的9月下旬，当菊枝挂满花蕾时，清疏花蕾，促进保留花蕾的营养供应，使花朵达到最大，且大小均匀一致；

E、将各花蕾扎制成型。

所述单株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述泥土由70％——90％的塘泥和10％——30％的煤渣组成。

所述单株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述泥土由80％的塘泥和20％的煤渣组成。

所述单株多圈大立菊的培植方法，其特征在于在第一年的8月底开始，每七天施一次肥。

所述单株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述扎制方法如下：在上述嫩枝扦插到盆内泥土前，先制作一个下固定架，该下固定架由若干个相互固定的同心的钢圈构成，将该下固定架置于所述盆内，使所述嫩枝经下固定架中央的通孔伸出；扎制时先将所述下固定架与盆固定，然后在所述盆内的泥土中固定三个竹桩，在竹桩上固定一个上固定架，该上固定架由一个直径为5-6厘米的铁圈和若干铁条构成，其中各铁条成辐射状均匀分布在铁圈外且铁条的内端与所述铁圈焊接在一起；准备与整株大立菊上总花朵相同的小竹，将小竹下端穿过下固定架中钢圈之间的间隙插入盆内泥土、使各小竹均匀分布，选择位于中央的3-6朵花朵作为第一圈，将该3-6朵花朵的枝茎分别夹在对应的3-6根小竹上端的开口处，在第一圈小竹的外围用第一铁丝圈定位，该第一铁丝圈与上固定架固定；选择比第n圈多6朵的花朵数量和小竹数量作为第(n+1)圈，将第(n+1)圈的花朵枝茎分别夹在对应的小竹上端开口处，在第(n+1)圈小竹外围用第(n+1)铁丝圈定位，该第(n+1)铁丝圈与上固定架固定，其中n为大于或等于1的自然整数。

所述单株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述第(n+1)圈的半径比第n圈的半径约5-6公分。

所述单株多圈大立菊的培植方法，其特征在于所述相邻的钢圈的半径相差2公分。

由于采用了本发明所述的技术方案，大立菊的生长期可以超过一年，树形足够大，可以在母株上长出较多的花朵，按这种方法栽培出来的大立菊可以集几千朵花于一体。

附图说明

图1是本发明所述单株多圈大立菊的培植方法中扎制时使用的上固定架的立体图。

图2是本发明所述单株多圈大立菊的培植方法中扎制时使用的下固定架的立体图。

具体实施方式：

下面以一个大立菊的培植过程为实施例作进一步的说明，其步骤如下：

先制作一个如图1所示形状的下固定架，该下固定架由若干个同心的钢圈10和径向幅射的六根钢枝构成，相邻的钢圈半径相差约2公分，其中各钢圈10焊接在六根径向幅射的钢枝上。

A、用80％的塘泥和20％的煤渣混合而成泥土，在第一年的8月选用火舞或粉牡丹或飞雪迎春为母株，直接用母株顶部的嫩枝扦插到泥土上培育为植株；

B、经半个月的培育，植株长出根后直接将其定植于盆内中央且确保直立，离中心约10cm处用瓦片围成一圈，圈内填上泥土(80％的塘泥和20％的煤渣混合泥土)，圈外至盆边预留空位，然后根据不同的生长季节和植株长势，分期逐步往外扩穴培土，每次向外扩宽约6公分；将图1所示的下固定架置于盆内，并使植株经下固定架中央的通孔10伸出；往外扩穴培土时，可以将下固定架向上抬起一定距离；