[发明专利]人工晶体生长用导流筒升降机构有效
| 申请号： | 200710021527.2 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101294306A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李留臣;冯䶮 | 申请（专利权）人： | 冯金生 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213200江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种人工晶体生长用导流筒升降机构，特别涉及半导体硅单晶生长和锗单晶生长用的导流筒升降机构。包括炉筒和炉底组成的真空工作室，真空工作室安装在基座上，三个(或者两个)直线运动组件均布安装在炉底上，通过电动机带动滑块和导杆作上下移动，导流筒安装在托板上，托板与导杆连接，导杆通过密封组件实现与真空工作室之间的密封。该发明的应用，可以提高人工晶体生长的单炉产量，提高生产效率，节能降耗。广泛适用于半导体硅单晶生长和锗单晶生长设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 人工 晶体生长 导流 升降 机构 | ||
【主权项】：
1、一种人工晶体生长用导流筒升降机构，包括炉筒4和炉底5组成的真空工作室，其特征在于真空工作室安装在基座10上，三个(或者两个)直线运动组件7均布安装在炉底5上，通过电动机9带动滑块8和导杆3作上下移动，导流筒2安装在托板1上，托板1与导杆3连接，导杆3通过密封组件6实现与真空工作室之间的密封。
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