[发明专利]人工晶体生长用导流筒升降机构

说明书

技术领域

本发明涉及一种人工晶体生长用导流筒升降机构，特别涉及半导体硅单晶生长和锗单晶生长用的导流筒升降机构。

背景技术

半导体材料硅单晶、光电材料锗单晶等人工晶体的制备(生长)是在真空工作室内将块状多晶原材料放入坩埚中，通过加热器将原材料熔化，然后，通过籽晶引导，生长出理想的单晶；为了稳定快速生长出高质量的合格单晶，同时实现节能降耗，单晶生长热系统中安装了导流筒，而导流筒的增设限制了在坩埚中的装料量。

现有技术中人工晶体生长用的导流筒是固定安装在保温盖上的，没有升降移动功能，这样就减少了装料量，直接影响每炉的晶体生产量。

发明目的

针对上述现有技术存在的问题，本发明的发明目的在于提供一种结构简单，使用方便，效果明显的人工晶体生长用导流筒升降机构，以提高人工晶体生长的单炉产量，提高生产效率，节能降耗。

技术内容

本发明的人工晶体生长用导流筒升降机构，包括炉筒4和炉底5组成的真空工作室，真空工作室安装在基座10上，三个(或者两个)直线运动组件7均布安装在炉底5上，通过电动机9带动滑块8和导杆3作上下移动，导流筒2安装在托板1上，托板1与导杆3连接，导杆3通过密封组件6实现与真空工作室之间的密封。

本发明的创新之处在于通过安装在炉底5上的直线运动组件7和电机9，实现导流筒2的升降运动，在装料时，将导流筒2升起，装入更多的块状原材料，待块状原材料熔化后，再将导流筒2降到工作需求位置，从而提高单炉装料量，提高生产效率，节能降耗。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2是本发明的一个实施例的示意图。

图中1是托板，2是导流筒，3是导杆，4是炉筒，5是炉底5，6是密封组件，7是直线运动组件，8是滑块，9是电动机，10是基座，11是保温板，12是坩埚杆，13是坩埚，14是加热器，15是保温筒，16是保温盖。

具体实施方式

参见图1所示，包括炉筒(4)和炉底(5)组成的真空工作室，真空工作室安装在基座(10)上，三个(或者两个)直线运动组件(7)均布安装在炉底(5)上，通过电动机(9)带动滑块(8)和导杆(3)作上下移动，导流筒(2)安装在上，托板1与导杆(3)连接，导杆(3)通过密封组件(6)实现与真空工作室之间的密封。

下面结合附图对本发明的内容作进一步说明：

参见图2所示，在炉筒(4)和炉底(5)组成的真空工作室内，安装有下保温板(11)、保温筒(15)和保温盖(16)组成的保温系统，坩埚(13)安放在坩埚杆(12)上，电阻加热器(14)安装在保温筒(15)和坩埚(13)之间，通过加热器(14)产生的热量将坩埚内的多晶原料熔化；真空工作室安装在基座(10)上，三个(或者两个)直线运动组件(7)均布安装在炉底(5)上，通过电动机(9)带动滑块(8)和导杆(3)作上下移动，导流筒(2)安装在托板(1)上，托板(1)放置在保温盖(16)上并与导杆(3)连接，导杆(3)通过密封组件(6)实现与真空工作室之间的密封。

导流筒(2)在A位置是生长晶体时的正确位置，装料时，将导流筒(2)和托板(1)提升至B位置，原材料装至B位置装料量，待块状原材料熔化后，再将导流筒(2)和托板(1)降到A位置，这样就比导流筒(2)不会升降时多装了原材料，增加了单炉的装料量，提高了生产效率。

本发明具有结构简单、制造容易、使用方便、效果明显、工作稳定可靠等特点，可以提高人工晶体生长的单炉产量，提高生产效率，节能降耗。广泛适用于半导体硅单晶生长和锗单晶生长设备中。