[发明专利]一种具有NH3气体敏感效应的碳/硅异质结材料无效

专利信息
申请号: 200710013468.4 申请日: 2007-02-02
公开(公告)号: CN101013098A 公开(公告)日: 2007-08-08
发明(设计)人: 薛庆忠;高熙礼;郝兰众;郑庆彬;李群 申请(专利权)人: 中国石油大学(华东)
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 青岛高晓专利事务所 代理人: 杨大兴
地址: 257061山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种具有NH3气体敏感效应的碳/硅异质结新材料,该材料是通过磁控溅射的方法,将纯度为99.9%的石墨靶或者将含有0~10%(质量分数)的铁的铁-石墨复合靶溅射到抛光的硅基片上,形成一层厚度为20nm~200nm的膜。该碳/硅异质结新材料具有明显的NH3气体敏感效应,可以用于制备NH3气敏传感器,在室温下工作,无须加热器,易实现器件的微型化、集成化,且灵敏度高、响应时间短、稳定性好,生产工艺简单,成本低,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 具有 nh sub 气体 敏感 效应 硅异质结 材料
【主权项】:
1.一种具有NH3气体敏感效应的碳/硅异质结新材料,其特征是,在一块0.5~1.0mm厚的抛光硅基片上,溅射一层类金刚石碳薄膜,薄膜的厚度为20~200nm。
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