[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200710008189.9 | 申请日： | 2003-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101043012A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 中岛靖之;守田俊章;松泽朝夫;友井晴一;川邉直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/607 | 分类号： | H01L21/607;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，包括步骤：在半导体芯片区域上方形成第一金属膜；在所述第一金属膜之上形成绝缘膜，该绝缘膜在所述第一金属膜之上的焊盘部分具有开口；通过110kHz或更大的超声频率的超声波热压键合方法将由第二金属形成的球部分粘附到所述焊盘部分上。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括步骤：(a)在半导体芯片区域上方形成第一金属膜；(b)在所述第一金属膜之上形成绝缘膜，该绝缘膜在所述第一金属膜之上的焊盘部分具有开口；(c)通过110kHz或更大的超声频率的超声波热压键合方法将由第二金属形成的球部分粘附到所述焊盘部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
