[发明专利]利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法有效
| 申请号： | 200710008128.2 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101030444A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 金起园;金泰完;曹永真;黄仁俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法。该磁器件单元包括：数据储存单元，包括具有可翻转磁化方向且具有多个毗邻磁畴的自由层、以及与该自由层的一部分对应地形成且具有被钉扎磁化方向的参考层，其中多个数据位区域以阵列形成在该自由层上，该数据位区域的每个以该参考层的有效尺寸单元形成，使得该数据储存单元以阵列储存多位数据；第一输入部分，电连接到该自由层的该数据位区域的至少一个和该参考层以施加写信号和读信号中的至少一种；以及第二输入部分，电连接到该自由层以将储存在该自由层的该数据位区域中的数据向相邻数据位区域拖动，且施加用于磁畴拖动的拖动信号。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 拖动 器件 单元 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁器件单元，包括：数据储存单元，包括具有可翻转磁化方向且具有多个毗邻磁畴的自由层、以及与该自由层的一部分对应地形成且具有被钉扎磁化方向的参考层，其中多个数据位区域以阵列形成在该自由层上，该数据位区域的每个以该参考层的有效尺寸单元形成以允许该数据储存单元在所述阵列中储存多位数据；第一输入部分，电连接到该自由层的该数据位区域的至少一个且电连接到该参考层以施加写信号和读信号中的至少一种；以及第二输入部分，电连接到该自由层以通过施加用于磁畴拖动的拖动信号将储存在该自由层的该数据位区域中的数据向相邻数据位区域拖动。
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