[发明专利]电场读/写头及其制造方法、数据读/写装置无效
| 申请号： | 200710008044.9 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101118750A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 高亨守;丁柱焕;金庸洙;洪承范;朴弘植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/187 | 分类号： | G11B5/187 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 及其 制造 方法 数据 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电场读取头，包括：半导体基板，包括面对记录介质的第一表面以及与该第一表面的边缘邻接的第二表面；电阻区域，其是形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸的低密度杂质区域；以及源极区域和漏极区域，其是形成在该电阻区域两侧且与该第一表面分隔开的高密度杂质区域。
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