[发明专利]薄膜压电谐振器以及薄膜压电谐振器滤波器无效
| 申请号： | 200710005320.6 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101022271A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 尾原亮一;梁濑直子;佐野贤也;安本恭章;板谷和彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/187 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种薄膜压电谐振器，具有：支撑基板和设置在上述支撑基板上、一部分由上述支撑基板来支撑、另一部分与上述支撑基板相离的层叠体；其特征在于，上述层叠体具有：以铝为主要成分的第1电极，层叠在上述第1电极上、以氮化铝为主要成分的压电膜，层叠在上述压电膜上、以密度大于等于铝密度1.9倍的金属为主要成分的第2电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 压电 谐振器 以及 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜压电谐振器，具有：支撑基板，设置在上述支撑基板上、一部分由上述支撑基板来支撑、另一部分与上述支撑基板相离的层叠体；其特征在于，上述层叠体具有：以铝为主要成分的第1电极，层叠在上述第1电极上、以氮化铝为主要成分的压电膜，层叠在上述压电膜上、以密度大于等于铝密度1.9倍的金属为主要成分的第2电极。
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