[发明专利]补偿存储单元编程状态之间的读余量减少的闪存系统有效
| 申请号： | 200710003744.9 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101009137A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 姜相求;林瀛湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李芳华;邸万奎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 存储系统包括：闪存；以及存储控制器，被配置为控制闪存。所述存储控制器确定在编程操作期间从主机提供的编程数据是否都被存储在闪存中。当确定结果是该编程数据都被存储在所述闪存中时，所述存储控制器控制所述闪存，以便对其中存储了编程数据的最终字线的下一个字线执行伪编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 存储 单元 编程 状态 之间 余量 减少 闪存 系统 | ||
【主权项】：
1.一种存储系统，包括：闪存，具有用于存储数据的存储单元阵列；以及存储控制器，被配置为控制数据在闪存中的存储，所述存储控制器被配置为确定在编程操作期间是否将从主机提供的编程数据都存储在闪存中，当确定结果是该编程数据都存储在所述闪存中时，所述存储控制器向所述闪存输出伪编程命令和与所述闪存单元阵列的至少一部分相关联的地址。
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