[发明专利]基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层

摘要

本发明公开了一个p－i－n型光伏电池，该光伏电池包含一个新颖的带隙较窄的i层吸收层。该吸收层的前部分由纳米晶硅制成，中间部分由非晶锗材料制成，后部分由非晶锗硅制成。这种含有混合型i层的光伏电池，可以很好地作为基于硅薄膜的多结光伏器件的底层电池。它的性能优良，稳定性强，生产成本低。

主权项

1. 一个p-i-n型光伏电池，包括：a.一个p型膜层。该膜层由硼掺杂的薄膜硅，包括纳米晶硅和部分纳米晶硅制成；b.一个n型膜层。该膜层由磷掺杂的薄膜硅或硅的合金制成；c.一个本征i层。该本征i层置于所述p型膜层和所述n型膜层之间，所述本征i层包含：i.一个本征纳米晶硅薄膜。该薄膜厚度不大于800纳米；ii.一个本征非晶锗膜层。该膜层厚度不大于300纳米；iii.一个非晶锗硅合金层。该合金层有递进的硅原子密度和递进的能带隙，其厚度不大于120纳米。