[发明专利]半导体激光器有效
| 申请号： | 200710002036.3 | 申请日： | 2005-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1992459A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 外山智一郎 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227;H01S5/028;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器：具有：半导体基板；以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部；在所述半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以成为规定的反射率的方式形成的第1电介质膜；在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜；而且，所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且所述氧化铝膜的厚度是满足以下条件的厚度，即，达到所要求的反射率，并且，当相对于光的波长的所述反射率变化的曲线中振荡波长成为所述λ时斜率为负，同时按光学距离为0.6λ以上的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器：具有：半导体基板、以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部、在所述半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以成为规定的反射率的方式形成的第1电介质膜、在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜；而且，所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且所述氧化铝膜的厚度是满足以下条件的厚度，即，达到所要求的反射率，并且，当相对于光的波长的所述反射率变化的曲线中振荡波长成为所述λ时斜率为负，同时按光学距离为0.6λ以上的厚度。
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