[发明专利]一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200680055418.6 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101506988A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李家声;李召兵;施晓东;陈斌 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/095;H01L29/94;H01L29/47;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 中国江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法，该肖特基二极管包含基片、半导体层(17)、金属氧化物半导体栅介电质(11)、阻障层(31)、金属氧化物半导体栅极(14)，以及内连线(51)，其中金属氧化物半导体栅介电质(11)、阻障层(31)与内连线(51)从下至上顺序排列，阻障层(31)存在于金属氧化物半导体栅介电质(11)与内连线(51)的夹层中，半导体层(17)与内连线(51)直接接触，中间不存在阻障层(31)。该肖特基二极管及其制造方法能够满足金属氧化物半导体工艺的需求，并适用于亚微米集成电路的集成生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 微米 集成电路 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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