[发明专利]密集存储器阵列的过渡区无效
| 申请号： | 200680051735.0 | 申请日： | 2006-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102047460A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 博阿兹·埃坦;拉斯托姆·伊拉尼;阿萨夫·沙皮尔 | 申请（专利权）人： | 赛芬半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林锦辉;王英 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器芯片，其具有：以亚F(低于最小特征尺寸F)的宽度间隔开的字线；以及至少两个过渡区中的所述字线的延伸部分，其中所述过渡区中的至少之一中的相邻的所述延伸部分以至少F的距离间隔开。本发明还包括一种用于对非易失性存储器芯片进行字线图案化的方法，所述方法包括：根据其宽度至少为最小特征尺寸F的掩膜生成的元件，生成在过渡区中具有延伸部分的亚F字线，所述延伸部分用于连接到外围晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 密集 存储器 阵列 过渡 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器芯片，包括：以亚F(低于最小特征尺寸F)的宽度间隔开的字线；以及至少两个过渡区中的所述字线的延伸部分，其中所述过渡区中的至少之一中的相邻所述延伸部分以至少F的距离间隔开。
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