[发明专利]用于一种固态发光器件的像素结构有效

专利信息
申请号: 200680050141.8 申请日: 2006-12-22
公开(公告)号: CN101361198A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 乔治·奇克;托马斯·马克埃尔维;伊恩·考尔德;史蒂文·E·希尔 申请(专利权)人: 第四族半导体有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L23/31
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人: 郑小粤
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种发光器件,其包括沉积在衬底上的有源层结构,该结构具有一个或多个包含发光中心的有源层,如具有半导体纳米颗粒的宽能带隙材料。为实现从有源层结构的实用的光提取,在有源层结构上沉积透明电极,在衬底下方安置底电极。在上透明电极与有源层结构之间以及有源层结构与衬底之间的接触区上形成导电性高于有源层结构顶层的过渡层。因此与有源层结构相关的高场强区被后移并离开接触区,从而可以减小生成所期望的在透明电极、有源层结构与衬底之间流动的电流所需的电场,并减小与大场强相关的有害影响。
搜索关键词: 用于 一种 固态 发光 器件 像素 结构
【主权项】:
1.一种发光器件,其包含:衬底;被支承在所述衬底上的有源层结构,所述有源层结构至少包括具有一定浓度的发光中心的第一有源层,所述第一有源层用于以第一波长发光;一组电极,其包含上透明电极和第二底电极,所述电极组用于对所述有源层结构施加电场;以及第一过渡层,其位于所述上透明电极与所述有源层结构之间,所述第一过渡层的导电性高于所述有源层结构的顶层的导电性;由此,与所述有源层结构相关的高场强区被后移并离开所述有源层结构与所述透明电极之间的第一接触区;从而可以减小生成所期望的、流经所述第一接触区的电流所需的电场,并减小与大场强相关的有害影响。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于第四族半导体有限公司,未经第四族半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680050141.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top