[发明专利]涂敷设备和涂敷方法有效
| 申请号： | 200680046966.2 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101331588A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 泽田郁夫;松崎和爱;田中崇;岩下光秋;宗像瑞惠 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B05C11/08;B05C15/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种涂覆设备，其包括：水平地固定衬底的衬底固定部件；将化学物质供应至被衬底固定部件水平固定的衬底的中心部分的化学物质喷嘴；使衬底固定部件旋转以便通过离心力使化学物质在衬底表面散开从而使化学物质涂敷在整个表面上的旋转机构；在被衬底固定部件水平固定的衬底表面上形成常压气体(atmospheric gas)的下降气流的气流形成单元；绕衬底排放大气的气体排放单元；以及将层流形成气体供应至衬底表面的气体喷嘴，该层流形成气体的运动粘度系数大于该常压气体；其中该常压气体或层流形成气体被供应至衬底的中心部分。 | ||
| 搜索关键词： | 敷设 方法 | ||
【主权项】：
1.一种涂覆设备，其包括：水平地固定衬底的衬底固定部件；将化学物质供应至被衬底固定部件水平固定的衬底的中心部分的化学物质喷嘴；使衬底固定部件旋转以便通过离心力使化学物质在衬底表面散开从而使用化学物质涂敷在整个表面上的旋转机构；在被衬底固定部件水平固定的衬底表面上形成常压气体的下降气流的气流形成单元；绕衬底排放大气的气体排放单元；以及将层流形成气体供应至衬底表面的气体喷嘴，所述层流形成气体的运动粘度系数大于所述常压气体；其中所述常压气体或所述层流形成气体被供应至衬底的中心部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
