[发明专利]片状等离子体成膜装置无效
| 申请号： | 200680045237.5 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101321889A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 丸中正雄;土屋贵之;寺仓厚广;武内清 | 申请（专利权）人： | 新明和工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285;H05H1/48 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 衷诚宣 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的片状等离子体成膜装置(100)具备能够将源等离子体(22)向输送方向发射的等离子体枪(40)、具有在输送方向上延伸的输送空间(21)的片状等离子体变形室(20)、同极相对夹着输送空间(21)配置的第1磁场发生手段对(24A、24B)、具有与输送空间(21)连通的成膜空间(31)的成膜室(30)、以及异极相对，夹着成膜空间配置的第2磁场发生手段对(32、33)，是使得源等离子体(22)在通过输送空间(21)移动的时候借助于第1磁场发生手段对(24A、24B)的磁场沿着包含中心的主面S片状扩展，片状等离子体(27)通过成膜空间(31)移动的时候借助于第2磁场发生手段对(32、33)的磁场从主面S凸状偏倚的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 片状 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种片状等离子体成膜装置，其特征在于，具备利用放电相对于等离子体的输送方向的中心大致等密度分布的源等离子体而形成，能够将源等离子体向所述输送方向发射的等离子体枪、具有在所述输送方向上延伸的输送空间的片状等离子体变形室、同极相对，夹着所述输送空间配置的第1磁场发生手段对、具有与所述输送空间连通的成膜空间的成膜室、以及异极相对，夹着所述成膜空间配置的第2磁场发生手段对，所述源等离子体在通过所述输送空间移动的时候借助于所述第1磁场发生手段对的磁场沿着包含所述中心的主面片状扩展，所述片状等离子体在通过成膜空间移动的时候借助于所述第2磁场发生手段对的磁场从所述主面凸状偏倚。
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