[发明专利]片状等离子体成膜装置

权利要求书

1.一种片状等离子体成膜装置，其特征在于，

具备

利用放电相对于等离子体的输送方向的中心大致等密度分布的源等离子体而形成，能够将源等离子体向所述输送方向发射的等离子体枪、

具有在所述输送方向上延伸的输送空间的片状等离子体变形室、

同极相对，夹着所述输送空间配置的第1磁场发生手段对、

具有与所述输送空间连通的成膜空间的成膜室、以及

异极相对，夹着所述成膜空间配置的第2磁场发生手段对，

所述源等离子体在通过所述输送空间移动的时候借助于所述第1磁场发生手段对的磁场沿着包含所述中心的主面片状扩展，

所述片状等离子体在通过成膜空间移动的时候借助于所述第2磁场发生手段对的磁场从所述主面凸状偏倚。

2.根据权利要求1所述的片状等离子体成膜装置，其特征在于，所述第2磁场发生手段对是一对电磁线圈，所述电磁线圈的线圈面的法线相对于所述主面倾斜。

3.根据权利要求2所述的片状等离子体成膜装置，其特征在于，

具备安装靶的靶支架、以及安装堆积利用所述片状等离子体轰击出来的所述靶的材料的基板的基板支架，

所述靶和所述基板在所述片状等离子体的厚度方向上保持间隔而且夹着所述片状等离子体在所述成膜空间内相对配置，

所述片状等离子体具有从所述主面向着靶在所述片状等离子体的厚度方向上突出的弯曲部。

4.根据权利要求3所述的片状等离子体成膜装置，其特征在于，所述片状等离子体以大致一定的曲率半径弯曲。

5.根据权利要求3所述的片状等离子体成膜装置，其特征在于，所述电磁线圈的各线圈面的法线向所述靶一侧倾斜，和所述主面形成规定的倾斜角。

6.根据权利要求5所述的片状等离子体成膜装置，其特征在于，

所述片状等离子体的弯曲部具有从所述主面最大程度偏倚的顶上部，

所述靶的表面形成时设定所述倾斜角的上限，以使靶的表面不曝露于位于所述顶上部的片状等离子体中的带电粒子下。