[发明专利]离子植入波束角校准有效
| 申请号： | 200680044826.1 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101317245A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | R·雷斯梅尔;D·卡门尼塞 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01J37/304 | 分类号： | H01J37/304;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一个或更多个方面是关于确定介于离子束和欲由该离子束选择性地植入离子至其中的工件的晶格结构之间的相对方位，以及按照该相对方位来校准离子植入系统。至少部分地通过导引发散离子束于工件上并寻找基本平行于该工件的晶体平面植入离子的该发散束的方面的角度来确定该波束至晶格结构方位，因此对该晶格结构造成小量损害。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 波束 校准 | ||
【主权项】：
1.一种在介于离子束和欲由该离子束选择性地植入离子至其中的工件的晶格结构之间建立相对方位的方法，其包含：导引发散离子束朝向欲选择性地植入离子至其中的工件；确定提供基本上平行于该工件的晶体平面的离子流的该离子束的射线的角度；以及相对于该射线的角度来校准离子植入系统。
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