[发明专利]磁盘基底以及其磁盘无效

专利信息
申请号: 200680043383.4 申请日: 2006-12-13
公开(公告)号: CN101313356A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 町田裕之;会田克昭 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/73 分类号: G11B5/73;G11B5/82
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种使用硅基底的磁盘基底,其中在所述硅基底的主表面和外周表面之间设置倒棱的表面;滑雪跳跃值H0,其中H0≤0μm,表示从基平面到点A3的距离;滚降值H1,其中H1≥-0.2μm且H1≤0.0μm,表示从所述基平面到点A1的距离;标记值H2,其中H2≥0μm且H2≤0.012μm,表示所述主表面的边界线相对于线A1到A2的最大偏移;在所述主表面和所述倒棱的表面之间设置曲面;且所述曲面的曲率半径R,其中R≥0.013mm且R≤0.080mm。
搜索关键词: 磁盘 基底 及其
【主权项】:
1.一种使用硅基底的磁盘基底,其中在所述硅基底的主表面和外周表面之间设置倒棱的表面;滑雪跳跃值H0,其中H0≤0μm,表示从基平面到点A3的距离;滚降值H1,其中H1≥-0.2μm且H1≤0.0μm,表示从所述基平面到点A1 的距离;标记值H2,其中H2≥0μm且H2≤0.012μm,表示所述主表面的边界线相对于线A1到A2的最大偏移;在所述主表面和所述倒棱的表面之间设置曲面;并且所述曲面的曲率半径R,其中R≥0.013mm且R≤0.080mm,其中所述基平面是指所述主表面的平坦表面;所述点A1是指存在于所述主表面的所述边界线上的位置,其位于在从所述外周表面到所述基底中心平行于所述基平面的方向上偏移1mm的点处;所述点A2是指存在于所述主表面的所述边界线上的位置,其位于在从所述点A1到所述基底中心平行于所述基平面的方向上偏移1.6mm的点处;以及所述A3是指存在于所述点A1和A2之间的所述主表面的所述边界线上的位置,其位于相对于所述基平面的最高位置处。
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