[发明专利]具有IFR结构的全硅沸石的制备方法无效
| 申请号： | 200680040898.9 | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101309861A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈聪岩 | 申请（专利权）人： | 切夫里昂美国公司 |
| 主分类号： | C01B37/02 | 分类号： | C01B37/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙爱 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过制备反应混合物并将所述反应混合物维持在足以生成所述沸石晶体的条件下来直接合成具有IFR骨架拓扑结构的全硅沸石，其中所述反应混合物包含：(1)二氧化硅活性源，(2)包含N－苄基－1，4－二氮杂双环[2.2.2]辛烷阳离子的结构导向剂，(3)氢氧化物活性源，和(4)水。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ifr 结构 全硅沸石 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.直接合成具有IFR骨架拓扑结构的全硅沸石的方法，包括：(a)制备反应混合物，其包含(1)二氧化硅活性源，(2)包含N-苄基-1，4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷阳离子的结构导向剂，(3)氢氧化物活性源，和(4)水；和(b)将所述反应混合物维持在足以生成全硅IFR沸石晶体的条件下。
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