[发明专利]与衬底键合的锗层的处理无效
| 申请号： | 200680038884.3 | 申请日： | 2006-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101292342A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·阿利贝尔;克里斯特尔·德盖;克莱雷·里奇塔尔切 | 申请（专利权）人： | SOI科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐江华;王珍仙 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于处理衬底上包含薄Ge层的结构的方法，所述层已经被提前键合到衬底，所述方法包括用于改进所述层或者Ge层与下层的界面的电特性的处理。本发明的特征在于，所述处理为在500℃和600℃之间的温度范围内进行最长达3小时的热处理。本发明还涉及一种用于制造含Ge层的结构的方法，所述方法包括键合施主衬底和接收衬底，该施主衬底至少在其上部包括薄Ge层，其特征在于，它包括如下步骤：(a)将施主衬底键合到接收衬底，从而使Ge层位于键合界面邻近处；(b)去除施主衬底不包含Ge层的部分；(c)根据所述处理方法来处理包含接收衬底和Ge层的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 | ||
【主权项】：
1、一种衬底上包括薄Ge层的结构的处理方法，所述层已经被预先与所述衬底键合，所述方法包括用于改进所述层和/或所述Ge层与下层的界面的电特性的处理，其特征在于，所述处理为在500℃和600℃之间的温度下耗时至多3小时进行的热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
