[发明专利]具有高访问存储带宽的高速缓冲存储器有效

专利信息
申请号: 200680038522.4 申请日: 2006-10-18
公开(公告)号: CN101292227A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 扬-威廉·范德韦尔特;卡洛斯·H·M·V·巴斯托 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G06F12/08 分类号: G06F12/08
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 提供了一种通过使用多个标记存储器以支持多路同时存储操作的高速缓冲存储器系统及方法。该高速缓冲存储器数据系统还提供多个多路同时高速缓冲存储器存储功能,以及与该存储功能同时进行的单个高速缓冲存储器载入功能。实施例生成了一种高速缓冲存器,其中在向高速缓冲存储器系统或装置执行数据存储操作时,高速缓冲存储器写缓冲区的操作不会成为瓶颈。
搜索关键词: 具有 访问 存储 带宽 高速 缓冲存储器
【主权项】:
1.一种高速缓冲存储器系统(40),包括:高速缓冲存储器数据存储器(58),用于存储高速缓冲存储器数据;存储槽(0)地址计算逻辑电路(46),用于计算存储操作地址;存储槽(0)标记判别器(50),用于接收来自所述存储槽(0)地址计算逻辑电路(46)的地址信息;存储槽(0)标记SRAM(54),其可由所述存储槽0标记判别器(50)访问;高速缓冲存储器写缓冲区(64),用于接收和保存将被存入所述高速缓冲存储器数据存储器(58)的待处理存储数据;存储槽(1)地址计算逻辑电路(48),用于计算存储操作地址;存储槽(1)标记判别器(52),用于从所述存储槽(1)地址计算逻辑电路(48)接收地址信息;存储槽(1)标记SRAM(56),其通过所述存储槽(1)标记判别器(52)来访问;所述存储槽(0)标记SRAM(54)、所述存储槽(1)标记SRAM(56)和所述高速缓冲存储器写缓冲区(64)的组合执行两个基本上同时的存储操作,其中来自所述高速缓冲存储器写缓冲区(64)的存储槽(0)存储数据和存储槽(1)存储数据被提供到所述高速缓冲存储器数据存储器(58)。
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