[发明专利]高纯度Ru合金靶及其制造方法以及溅射膜有效
| 申请号： | 200680038165.1 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101287858A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 加纳学;新藤裕一朗 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285;C22C5/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射靶、及其制造方法、以及对该Ru合金靶进行溅射得到的高纯度Ru合金溅射膜，其中，所述溅射靶，在尽可能减少有害物质的同时，尽可能使晶粒微细化，从而使成膜时的膜厚分布均匀，并且不使与Si衬底的密合性变差，适于形成半导体存储器的电容器用电极材料。一种高纯度Ru合金靶，其中，Ru以外的铂族元素的含量为15～200重量ppm，且余量为Ru及不可避免的杂质。一种高纯度Ru合金靶的制造方法，其中，所述高纯度Ru合金靶中，Ru以外的铂族元素的含量为15～200重量ppm，且余量为Ru及不可避免的杂质，该方法的特征在于，将纯度99.9％以上的Ru粉末与Ru以外的铂族元素的粉末混合，然后进行加压成形得到成形体，将该成形体进行电子束熔化得到锭，并且对该锭进行锻造加工从而得到靶。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 ru 合金 及其 制造 方法 以及 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度Ru合金靶，其特征在于，Ru以外的铂族元素的含量为15～200重量ppm，且余量为Ru及不可避免的杂质。
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