[发明专利]具有磁场补偿的磁传感器设备无效
申请号: | 200680037719.6 | 申请日: | 2006-09-29 |
公开(公告)号: | CN101283264A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | J·A·H·M·卡尔曼;H·杜里克 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01N15/06 | 分类号: | G01N15/06;G01N33/543;G01N35/00;G01R33/09;G01R33/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种磁传感器设备(10),其包括用于产生第一磁场(B1)的励磁导线(11)、用于感测由磁珠(2)产生的杂散场(B’)的GMR传感器(12)、以及用于产生第二磁场(B2)以在GMR传感器(12)中抵消第一磁场(B1)的补偿导线(13)。优选地,励磁导线和补偿导线(11、13)对称设置在GMR传感器(12)的上方和下方,并被提供相等幅值的并联电流(I1、I2)。在第二操作模式中,可以将磁场(B1、B2)设定成在包含磁珠(2)的区域中基本抵消,以便允许校准GMR传感器(12)。 | ||
搜索关键词: | 具有 磁场 补偿 传感器 设备 | ||
【主权项】:
1、一种磁传感器设备(10、110),包括:a)至少一个用于在研究区域中产生第一磁场(B1)的磁场发生器(11、111a、111b);b)至少一个具有灵敏度方向(D)的相关联的磁传感器元件(12、112);c)至少一个用于产生第二磁场(B2)的磁场补偿器(13、113a、113b);d)耦合至所述磁场发生器(11、111a、111b)和所述磁场补偿器(13、113a、113b)的控制器(15、115),其用于控制所述第一磁场和所述第二磁场(B1、B2)的产生;其中设计所述磁传感器设备(10、110),使得它允许下述操作模式,在该操作模式中,所述第一磁场和第二磁场(B1、B2)在所述磁传感器元件(12、112)中相对于它的所述灵敏度方向(D)基本抵消。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680037719.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有适应性边缘门坎值的反交错系统及方法
- 下一篇:自吸式投料机