[发明专利]具有磁场补偿的磁传感器设备无效

专利信息
申请号: 200680037719.6 申请日: 2006-09-29
公开(公告)号: CN101283264A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: J·A·H·M·卡尔曼;H·杜里克 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01N15/06 分类号: G01N15/06;G01N33/543;G01N35/00;G01R33/09;G01R33/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈松涛;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种磁传感器设备(10),其包括用于产生第一磁场(B1)的励磁导线(11)、用于感测由磁珠(2)产生的杂散场(B’)的GMR传感器(12)、以及用于产生第二磁场(B2)以在GMR传感器(12)中抵消第一磁场(B1)的补偿导线(13)。优选地,励磁导线和补偿导线(11、13)对称设置在GMR传感器(12)的上方和下方,并被提供相等幅值的并联电流(I1、I2)。在第二操作模式中,可以将磁场(B1、B2)设定成在包含磁珠(2)的区域中基本抵消,以便允许校准GMR传感器(12)。
搜索关键词: 具有 磁场 补偿 传感器 设备
【主权项】:
1、一种磁传感器设备(10、110),包括:a)至少一个用于在研究区域中产生第一磁场(B1)的磁场发生器(11、111a、111b);b)至少一个具有灵敏度方向(D)的相关联的磁传感器元件(12、112);c)至少一个用于产生第二磁场(B2)的磁场补偿器(13、113a、113b);d)耦合至所述磁场发生器(11、111a、111b)和所述磁场补偿器(13、113a、113b)的控制器(15、115),其用于控制所述第一磁场和所述第二磁场(B1、B2)的产生;其中设计所述磁传感器设备(10、110),使得它允许下述操作模式,在该操作模式中,所述第一磁场和第二磁场(B1、B2)在所述磁传感器元件(12、112)中相对于它的所述灵敏度方向(D)基本抵消。
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