[发明专利]采用无隔离体场效应晶体管和双衬垫工艺增加应变增强的结构和方法有效
| 申请号： | 200680037160.7 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101283447A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;西达哈萨·潘达 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种半导体结构及其制造方法，其中对于nFET和pFET都实现了应变增强。具体地，本发明提供了较强应变增强和缺陷减少的至少一无隔离体FET。至少一无隔离体FET可以是pFET、nFET、或其组合，尤其优选无隔离体pFET，因为pFET通常制造得比nFET具有更宽的宽度。所述至少一无隔离体FET允许在比包括具有隔离体的FET的现有结构更接近于器件沟道处提供应力引发衬垫。实现无隔离体FET而不负面影响对应的硅化的源极/漏极扩散接触的电阻，所述接触不侵占所述无隔离体FET的下面。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 隔离 场效应 晶体管 衬垫 工艺 增加 应变 增强 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：位于半导体衬底的表面上并且通过隔离区而相互分离的至少一p型场效应晶体管和至少一n型场效应晶体管，其中所述至少一n型场效应晶体管或所述至少一p型场效应晶体管是无隔离体场效应晶体管，各场效应晶体管包括沟道区；位于所述无隔离体场效应晶体管的源极/漏极扩散区上方的再结晶硅化物接触，所述再结晶硅化物接触不侵占所述无隔离体场效应晶体管的侧壁的下面；和位于所述至少一p型场效应晶体管周围的压应力引发衬垫和位于所述至少一n型场效应晶体管周围的拉应力引发衬垫，其中在所述无隔离体场效应晶体管周围的至少一应力引发衬垫位于距离对应的沟道区30nm以下之内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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